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商品型號:IPG20N04S4L-11

商品名稱:汽車 MOSFET

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-TDSON-8

貨期:全新原裝

庫存數量:35000

數量:
在線詢價

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公司名稱:

技術參數

制造商
INFINEON
型號
IPG20N04S4L-11
封裝
PG-TDSON-8
描述
40V,雙 N-Ch,最大 11.6 mΩ,汽車 MOSFET,雙 SS08 (5x6),OptiMOS?-T2

產品描述

英飛凌IPG20N04S4L-11是一款 雙N溝道邏輯電平增強型功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 系列,采用 PG-TDSON-8-4 封裝。該器件具有 超低導通電阻(R<sub>DS(on)</sub> = 10.1mΩ) 和 高電流承載能力(20A),適用于汽車電子、工業(yè)控制、輕負載開關等應用。


IPG20N04S4L-11產品特性

雙N溝道MOSFET:支持邏輯電平增強模式,提供卓越的導通性能。

低導通電阻:最大導通電阻為11.6mΩ,確保高效功率傳輸。

高電流承載能力:支持最大20A的連續(xù)漏極電流。

耐壓值:漏源電壓(Vdss)為40V,適用于多種電源管理應用。

封裝形式:采用PG-TDSON-8-4封裝,具有良好的熱性能和電氣性能。

環(huán)保合規(guī):符合RoHS標準,支持無鉛工藝。

工作溫度范圍:-55℃至+175℃,適用于惡劣環(huán)境。


IPG20N04S4L-11關鍵參數

導通電阻(RDS(on)):11.6mΩ @ 10V, 17A

耗散功率(Pd):41W

閾值電壓(Vgs(th)):2.2V

柵極電荷量(Qg):26nC @ 10V

輸入電容(Ciss):1.99nF @ 25V

反向傳輸電容(Crss):30pF @ 25V


IPG20N04S4L-11潛在應用

小型負載控制開關

車身應用

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型號

品牌

封裝

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描述

IPC100N04S5-2R8

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TO-252-3

2500

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IPC100N04S5-1R9

INFINEON

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90000

40V、N-Ch、最大 1.9 mΩ、汽車 MOSFET、PQNF、OptiMOS?-5

常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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