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IPD50P04P4L-11 是一款 P 溝道、增強模式、邏輯電平 MOSFET，40V 時最大 RDSon 為 10.6 mΩ。它通過了 AEC 認證，符合 RoHS 規(guī)范，適用于反向電池保護和高壓側(cè)驅(qū)動應用。

IPD50P04P4L-11 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 17.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 5 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 45 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q100

配置: Single

下降時間: 39 ns

高度: 2.3 mm

長度: 6.5 mm

上升時間: 9 ns

系列: XPD50P04

晶體管類型: 1 P-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 46 ns

典型接通延遲時間: 12 ns

寬度: 6.22 mm

潛在應用

用于電機橋（半橋、H 橋、三相電機）的高壓側(cè) MOSFET

可使用 40V P 溝道作為高壓側(cè)器件實現(xiàn)電橋配置，無需充電泵

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