商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHTFN-9
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IQDH29NE2LM5CGSC:25V,N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-WHTFN-9
概述:
IQDH29NE2LM5CGSC - OptiMOS? 功率 MOSFET 25V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。該器件具有業(yè)內(nèi)最低的 0.29 mOhm RDS(on),并具有出色的熱性能,便于管理功率損耗。中心柵極基底面針對(duì)并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。
IQDH29NE2LM5CGSC - 產(chǎn)品規(guī)格:
系列:OptiMOS? 5
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):25 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):75A(Ta),789A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):0.29 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 1.448mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):110 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):17000 pF @ 12 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),278W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-WHTFN-9-U02
封裝/外殼:9-PowerWDFN
應(yīng)用領(lǐng)域:
電信基礎(chǔ)設(shè)施
電源
服務(wù)器電源
計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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TLE98832QTW62S 是一款完全集成的 2 相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 Arm Cortex-M3 內(nèi)核,可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的電機(jī)控制算法。它包括一個(gè)橋式驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)多達(dá)四個(gè)外部功率 NFET,實(shí)現(xiàn) 2 相電機(jī)控制?;拘畔ⅲ盒吞?hào):TLE98832QTW62S封裝:TQFP-48類型:MOTIX? 全橋驅(qū)動(dòng)IC— 2 …TLE98812QTW60
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