SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
SPA11N80C3 的規(guī)格
晶體管極性:N 溝道
通道數:1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:800 V
Id - 漏極連續(xù)電流:11 A
Rds On - 漏極-源極電阻:450 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2.1 V
Qg - 柵極電荷:64 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度:+ 150 C
Pd - 功率耗散:34 W
通道模式:增強
商品名稱:CoolMOS
SPA11N80C3 的特點
全新革命性高壓技術
極高的額定 dv/dt
高峰值電流能力
目標應用符合 JEDEC1) 標準
無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
超低柵極電荷
超低有效電容
全隔離封裝(2500 VAC;1 分鐘)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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