商品名稱:AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
數(shù)據手冊:AR0130CSSC00SPCA0-DRBR.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:48-ILCC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AR0130CSSC00SPCA0-DRBR 是一款款1/3英寸光學格式高清(720p/60fps)傳感器,它以其成熟的3.75μm像素為主流監(jiān)控攝像機提供高性能。由于為增強近紅外(NIR)檢測而設計的像素的低光(0勒克斯)傳感能力,該傳感器使OEM能夠創(chuàng)建具有日/夜操作模式的相機。對于NIR應用,該傳感器提供增加的靈敏度以減少LED照明要求。
規(guī)格
產品種類: 圖像傳感器
RoHS: 詳細信息
類型: CMOS 圖像傳感器
圖象大小: 1280 H x 960 V
顏色讀出: Color
最小工作溫度 - 30°C
最大工作溫度: + 70°C
分辨率: 1.2 Megapixels
每秒幀數(shù): 45 fps
像素大小 - 寬x高: 3.75 um x 3.75 um
封裝 / 箱體: ILCC-48
工作電源電壓: 1.8 V
封裝: Tray
商標: onsemi
濕度敏感性: Yes
光學格式: 1/3 in
系列: AR0130CS
子類別: Sensors
電源電壓-最大: 1.95 V
電源電壓-最小: 1.7 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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