商品名稱:圖像傳感器
品牌:ON
年份:24+
封裝:SMD
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
AR0830CSSH11SMKA1-CP 屬于 Hyperlux LP 產(chǎn)品系列,是一款 1/2.9 英寸背面照度(BSI)堆疊式 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,具有 3840 x 2160 有源像素陣列。這款先進(jìn)的傳感器可在線性或增強(qiáng)動(dòng)態(tài)范圍(eDR)模式下捕捉圖像,并采用卷簾快門讀取方式。AR0830 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)旨在以極低的功耗提供高質(zhì)量的性能。它由 onsemi 提供的 1.4 m BSI 像素支持,在微光和近紅外波長下性能卓越。AR0830 的特點(diǎn)是在邊緣提供強(qiáng)大的數(shù)據(jù)捕獲設(shè)備,可通過多個(gè)選項(xiàng)進(jìn)行編程,以極低功耗提供最佳帶寬。
AR0830CSSH11SMKA1-CP 的特點(diǎn)
在業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品中功耗最低
850nm 和 940nm 波長的增強(qiáng)型近紅外響應(yīng)
運(yùn)動(dòng)喚醒 (WOM)
多種子采樣模式 - 分檔、求和、跳轉(zhuǎn)、窗口
多種功能模式 - 全局重置釋放 (GRR)、Tigger、上下文切換
增強(qiáng)動(dòng)態(tài)范圍 (eDR) 和行交錯(cuò) HDR (LI-HDR) 模式
AR0830CSSH11SMKA1-CP 的應(yīng)用
視頻會(huì)議
智能接入
虛擬和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)
機(jī)器視覺
零售分析
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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