商品名稱:AR0522SRSM09SURA0-DR
數(shù)據(jù)手冊:AR0522SRSM09SURA0-DR.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:52-PLCC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AR0522SRSM09SURA0-DR是一款 1/2.5 英寸 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,有源像素陣列為 2592(H)x 1944(V)。它可在線性或高動態(tài)范圍模式下捕捉圖像,采用滾動快門讀出方式,并包括諸如分檔、窗口和視頻等復(fù)雜的相機(jī)功能。它還具有復(fù)雜的攝像功能,如分檔、窗口以及視頻和單幀模式。它的設(shè)計用于實現(xiàn)低照度和高動態(tài)范圍性能,采用線性交錯 T1/T2 讀出,支持 ISP 芯片外 HDR??膳臄z出異常清晰、銳利的數(shù)字圖像,并能同時捕捉連續(xù)視頻和單幀圖像。
功能
● 5 百萬像素,60 幀/秒,視頻性能卓越
● 小光學(xué)格式(1/2.5 英寸)
● 彩色濾光片陣列:RGB 和單色
● 1440p 模式,可拍攝 16:9 視頻
● 出色的弱光性能
● 2.2 米背面發(fā)光像素技術(shù)
● 支持行交錯 T1/T2 讀出,可在 ISP 芯片中進(jìn)行 HDR 處理
● 支持外部機(jī)械快門
● 片上鎖相環(huán) (PLL) 振蕩器
● 集成色彩和鏡頭陰影校正功能
應(yīng)用
● 視頻監(jiān)控
● 高動態(tài)范圍成像
● 機(jī)器視覺
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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