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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

IGC033S10S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 ?100 V G3，2.4 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S101

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，2.4 m?

封裝：PG-VSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC025S08S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 86 A ?80 V G3，1.8 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC019S06S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 99 A ?60 V G3，1.3 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC090S20S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 43 A ?200 V G3，6.7 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC037S12S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 71 A ?120 V G3，2.7m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S10S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

封裝：PG-TSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S101

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

封裝：PG-VSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB070S10S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3，5 mΩ

封裝：PG-TSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGK080B041S

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 雙向開(kāi)關(guān) 40 V G3，6 mΩ

封裝：WLCSP-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF300R12KT4P

產(chǎn)品說(shuō)明：1200V 300A 雙 IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE9189QUW

產(chǎn)品說(shuō)明：用于 12V BLDC 電機(jī)的 MOTIX? TLE9189柵極驅(qū)動(dòng)器 IC

封裝：TQFP-48
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE9189QVW

產(chǎn)品說(shuō)明：用于 12V BLDC 電機(jī)的 MOTIX? TLE9189柵極驅(qū)動(dòng)器 IC

封裝：VQFN-48
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
S28HS02GTFPBHV153

產(chǎn)品說(shuō)明：SEMPER? NOR閃存芯片

封裝：BGA-24
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
S28HS02GTFPBHV150

產(chǎn)品說(shuō)明：SEMPER? NOR閃存芯片

封裝：BGA-24
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
S25FS128SAGNFB103

產(chǎn)品說(shuō)明：高性能NOR閃存芯片

封裝：WSON-8
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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