深圳市明佳達電子有限公司供應、回收MachXO2系列 LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR 現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) IC 18 I/O 25WLCSP。產品概述：MachXO2可編程邏輯器件(PLD)由6個超低功耗、瞬時通、非易失性PLD組成，可提供256至6864個查找表(lut)的密度。與MachXO PLD系列相比，Mach…
深圳市明佳達電子有限公司供應、回收MachXO2系列 LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR 現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) IC 18 I/O 25WLCSP。
產品概述：
MachXO2可編程邏輯器件(PLD)由6個超低功耗、瞬時通、非易失性PLD組成，可提供256至6864個查找表(lut)的密度。與MachXO PLD系列相比，MachXO2系列提供了3倍的邏輯密度、10倍的嵌入式存儲器，并減少了高達30%的成本，其靜態(tài)功耗降低了100倍以上，待機功耗可以低至19uW。
MachXO2器件采用65nm非易失性低功耗工藝設計，有超低功耗(ZE)和高性能(HC和HE)兩種版本。MachXO2 ZE器件擁有256到7K查找表，工作電源電壓標稱值為1.2V，支持高達60MHz的系統(tǒng)性能。可提供低至19uW的功耗，專為成本敏感、低功耗的消費類應用設計而優(yōu)化，如智能電話、GPS和PDA等。MachXO2 HC器件擁有256到7K查找表，工作電源電壓標稱值為3.3V或2.5V，并支持高達150MHz的系統(tǒng)性能。提供多達335個用戶IO和強大的設計解決方案(瞬時上電、非易失性、輸入遲滯和單芯片)，是電信基礎設施、計算、工業(yè)和醫(yī)療設備的理想選擇。MachXO2 HE器件擁有2K到7K查找表，工作電源電壓標稱值為1.2V，并支持高達150MHz的系統(tǒng)性能，適用于功耗敏感的系統(tǒng)應用。
特性：
高達256 Kbit的用戶閃存和240 Kbit sysMEMTM嵌入式塊RAM
高達334個可熱插拔的IO，可防止額外漏電
通過JTAG、SPI和I2C和Wishbone進行編程
TransFR功能支持現(xiàn)場設計升級，無需中斷設備運行
可編程sysIOTM緩沖器支持LVCMOS、LVTTL、PCI、LVDS、LVDS、MLVDS、RSDS、LVPECL、SSTL、HSTL等接口
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR 技術參數(shù)：
LAB/CLB 數(shù)：160
邏輯元件/單元數(shù)：1280
總 RAM 位數(shù)：65536
I/O 數(shù)：18
電壓 - 供電：1.14V ~ 1.26V
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 100°C（TJ）
封裝/外殼：25-UFBGA，WLCSP
供應商器件封裝：25-WLCSP
基本產品編號：LCMXO2-1200
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