FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開關(guān)和導通損耗，可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。
技術(shù)規(guī)格
FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：
配置：Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1.2 kV
集電極—射極飽和電壓：1.37 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：150 A
Pd-功率耗散：652 W
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 175 C
系列：FGY4L75T120SWD
封裝 / 箱體：TO-247-4
安裝風格：Through Hole
集電極最大連續(xù)電流 Ic：75 A
柵極—射極漏泄電流：400 nA
產(chǎn)品類型：IGBTs
應用領域
FGY4L75T120SWD廣泛應用于以下領域：
太陽能逆變器
UPS
儲能系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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