NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 溝道 MOSFET,以其優(yōu)異的性能和可靠性,成為工業(yè)控制、汽車電子、通信設備等領域的理想選擇。
NIS5132MN4TXGHW 采用先進的溝槽柵工藝制造,具有以下突出特點:
低導通電阻: NIS5132MN4TXGHW 的導通電阻 (RDS(on)) 低至 3.2mΩ,能夠有效降低導通損耗,提高系統(tǒng)效率。
高開關速度: NIS5132MN4TXGHW 具有極低的柵極電荷 (Qg) 和輸出電荷 (Qoss),能夠實現(xiàn)高速開關,降低開關損耗。
優(yōu)異的雪崩耐量: NIS5132MN4TXGHW 具有優(yōu)異的雪崩耐量,能夠承受高能量的雪崩擊穿,提高系統(tǒng)可靠性。
符合 RoHS 標準: NIS5132MN4TXGHW 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要求。
產品規(guī)格
寬輸入電壓范圍:支持 4.5V 至 28V 的輸入電壓
可調輸出電壓:輸出電壓可通過外部電阻設置
高效率:在額定負載下,效率可達到 90% 以上
過流保護:內置過流限制功能,確保電路安全
封裝類型:采用 SOP-8 封裝,適合緊湊型設計
工作溫度范圍:-40°C 至 85°C
PWM 調制支持:支持 PWM 模式,可實現(xiàn)精確的負載調節(jié)
NIS5132MN4TXGHW 應用領域廣泛
NIS5132MN4TXGHW 可廣泛應用于各種需要高效率、高可靠性的領域,例如:
工業(yè)控制: 電機驅動、電源轉換、逆變器等。
汽車電子: 電動助力轉向、電池管理系統(tǒng)、車載充電器等。
通信設備: 基站電源、服務器電源、網絡設備等。
消費電子: 筆記本電腦適配器、游戲機電源、液晶電視等。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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