STGB19NC60KDT4是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該芯片集成了一個 600V、20A 的 IGBT 和一個反向并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管,采用 D2PAK 封裝。這些器件是采用先進(jìn)的 PowerMESH? 技術(shù)開發(fā)的超高速 IGBT。這種工藝保證了開關(guān)性能和低導(dǎo)通行為之間的出色權(quán)衡。
功能——STGB19NC60KDT4
低導(dǎo)通壓降 (VCE(sat))
CRES / CIES 比率低(無交叉?zhèn)鲗?dǎo)電感)
短路耐壓時間 10 μs
與超高速續(xù)流二極管共同封裝的 IGBT
規(guī)格——STGB19NC60KDT4
產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: D2PAK-3
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 35 A
Pd-功率耗散: 125 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: STGB19NC60KDT4
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 35 A
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm
應(yīng)用——STGB19NC60KDT4
高頻逆變器
電機(jī)驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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