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產(chǎn)品分類

AI 處理器

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商品型號:IPP051N15N5

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:TO-220-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:20000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPP051N15N5
封裝
TO-220-3
描述
OptiMOS?5 功率晶體管,150V

產(chǎn)品描述

英飛凌新推出的 OptiMOS?5 150 V 功率 MOSFET——IPP051N15N5特別適合叉車和電動腳踏車等低壓驅(qū)動器以及通信和太陽能應(yīng)用。新產(chǎn)品突破性地降低了 R DS(on)(與 SuperSO8 中的下一個理想替代品相比高達(dá) 25%)和 Q rr,而不影響 FOM gd 和 FOM OSS,從而在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時有效減少設(shè)計(jì)工作量。此外,超低反向恢復(fù)電荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了換流堅(jiān)固性。


IPP051N15N5 產(chǎn)品屬性

系列: OptiMOS? 5  

FET 類型: N 通道  

技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)  

漏源電壓(Vdss): 150 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 120A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 5.1 毫歐 @ 60A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4.6V @ 264μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 100 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 7800 pF @ 75 V  

功率耗散(最大值): 300W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)  

安裝類型: 通孔  

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO220-3-1  

封裝/外殼: TO-220-3 


IPP051N15N5 潛在應(yīng)用

低壓驅(qū)動器

通信

太陽能

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常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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