商品名稱:NCV84045DR2G
數據手冊:NCV84045DR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOP-8
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
NCV84045DR2G是一款完全受保護的單通道高壓側驅動器,可用于開關各種負載,如燈泡、螺線管和其他執(zhí)行器。該器件集成了先進的保護功能,如主動浪涌電流管理、帶有自動重啟功能的過溫關斷和過壓主動鉗位。一個專門的電流感應引腳為輸出提供精確的模擬電流監(jiān)測,以及對VD短路、對地短路和OFF狀態(tài)開路負載檢測的故障指示。一個高電平電流感應使能引腳允許所有診斷和電流感應功能被啟用。
特性
? 短路保護與浪涌電流管理
? 兼容CMOS(3V/5V)控制輸入
? 非常低的待機電流
? 非常低的電流感應漏電
? 比例負載電流感測
? 電流感測啟用
? 關閉狀態(tài) 負載開路檢測
? 輸出端對VD短路檢測
? 過載和對地短路指示
? 自動重啟的熱關斷
? 低電壓關機
? 感應式開關的集成鉗制
? 失地和失VD保護
? ESD保護
? 使用外部元件的電池反接保護
? 用于汽車和其他需要獨特現場和控制變化要求的應用的NCV前綴;AEC-Q100 1級認證和PPAP能力
? 這是一個無鉛器件
典型應用
? 開關各種電阻性、感應性和電容性負載
? 可替代機電式繼電器和分立電路
? 汽車/工業(yè)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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