商品名稱:NCD57530DWKR2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCD57530DWKR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOIC-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NCD57530DWKR2G是大電流雙通道隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,具有從輸入到每個(gè)輸出的5 kVrms內(nèi)部電隔離以及兩個(gè)輸出通道之間的功能隔離。該器件在輸入端接受3.3 V至20 V的偏置電壓和信號(hào)電平,在輸出端接受高達(dá)32 V的偏置電壓。該器件接受互補(bǔ)輸入,并為禁用(NCx57540)或啟用(NCx57530)和死區(qū)時(shí)間控制提供單獨(dú)引腳,以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)器采用CASE 752AJ SOIC-16寬體封裝,增加了通道之間的絕緣性(減少了12和13號(hào)引腳)。
特點(diǎn)
? 高峰值輸出電流(±6.5 A)
? 可配置為雙低壓側(cè)或雙高壓側(cè)或半橋 驅(qū)動(dòng)器
? 可編程的重疊或死區(qū)時(shí)間控制
? 關(guān)閉輸出的禁用引腳,用于電源排序(NCx57540)
? 用于獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器控制的使能引腳(NCx57530)
? 短路期間的IGBT柵極鉗制
? 具有精確匹配的短傳播延遲
? 所有電源都有嚴(yán)格的UVLO閾值
? 3.3 V、5 V 和 15 V 邏輯輸入
? 從輸入到每個(gè)輸出的5 kVrms電隔離 以及輸出通道之間的1.5 kVrms差分電壓
? 1200 V工作電壓(根據(jù)VDE0884-11要求)
? 高共模瞬態(tài)抗擾度
? 用于改進(jìn)輸出通道之間絕緣的752AJ外殼
? 用于汽車和其他需要的應(yīng)用的NCV前綴 獨(dú)特的現(xiàn)場(chǎng)和控制變化要求;AEC-Q100 資格和PPAP能力
? 該器件不含鉛、不含鹵素/BFR,并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。兼容的
典型應(yīng)用
? 電動(dòng)汽車充電器
? 電機(jī)控制
? 不間斷電源 (UPS)
? 工業(yè)電源
? 太陽(yáng)能逆變器
? 汽車應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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