CY15B104QSN-108SXI采用了高級鐵電工藝的高性能4 Mbit 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器 (即 F-RAM)與 RAM 相 同,是執(zhí)行讀和寫操作的易失性存儲器。
特征描述
4 Mbit 鐵電性隨機存取存儲器 (F-RAM)的邏輯組織方式為 512K x 8
提供了一百萬億次(1014)的讀 / 寫周期,幾乎為無限次數的 耐久性。
NoDelay? 寫操作
高級高可靠性的鐵電工藝
單線和多線 I/O 串行外設接口 (SPI)
SPI 時鐘頻率
芯片內執(zhí)行 (XIP)模式下的存儲器讀 / 寫操作
寫入保護,數據安全性,數據完整性
專用 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM
擴展的電子簽名
高速度,低功耗
低電壓操作
工作溫度范圍 –40°C to +85°C
應用領域
計算和數據存儲
人機界面(HMI)
數字輸入/輸出 (I/O) 模塊
型號
品牌
封裝
數量
描述
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