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S80KS2563GABHI020 偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM) HYPERRAM?是具備HyperBus? 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存儲陣列的內(nèi)部結構類似于DRAM，而外在行為則與SRAM相似。

DRAM陣列需要定期刷新以保持數(shù)據(jù)完整性。HyperRAM?可在主機未進行主動讀取或寫入存儲器時，從內(nèi)部實現(xiàn)DRAM陣列刷新操作。由于主機無需執(zhí)行任何刷新操作，因此，在主機看來DRAM陣列是靜態(tài)單元，可以保留數(shù)據(jù)而無需刷新。所以，HYPERRAM?被稱為偽靜態(tài)隨機存儲器 (PSRAM) 。

這些低功率、高性能、低引腳數(shù)pSRAM適用于需要額外的RAM來緩沖數(shù)據(jù)、音頻、圖像和視頻等的應用，或者需要擴展存儲器用作便箋式存儲器，以進行數(shù)據(jù)密集型計算的應用。

產(chǎn)品規(guī)格：

存儲器類型：易失

存儲器格式：PSRAM

技術：PSRAM（偽 SRAM）

存儲容量：256Mb

存儲器組織：32M x 8

存儲器接口：SPI - 八 I/O

時鐘頻率：200 MHz

寫周期時間 - 字，頁：35ns

訪問時間：35 ns

電壓 - 供電：1.7V ~ 2V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：24-VBGA

供應商器件封裝：24-FBGA（6x8）

基本產(chǎn)品編號：S80KS2563

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