商品名稱:NCL30060B2DR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCL30060B2DR2G.PDF
品牌:ON
年份:17+18+
封裝:SOP8
貨期:原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量:20000 件
NCL30060是一款開關(guān)模式電源控制器,用于低至中等功率的單級功率因數(shù)(PF)校正LED驅(qū)動(dòng)器。它采用了恒定導(dǎo)通時(shí)間的控制方法,以確保在廣泛的輸入電壓和輸出功率范圍內(nèi)接近統(tǒng)一的功率因數(shù)。它可用于隔離反激式以及降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該器件提供了一套強(qiáng)大的保護(hù)功能,以確保在各種故障條件下的安全運(yùn)行。
NCL30060B2版本用于恒定電壓(CV)調(diào)節(jié)輸出驅(qū)動(dòng)器,其中第二級的DC-DC轉(zhuǎn)換器或線性穩(wěn)壓器控制LED的電流,因此輸出短路保護(hù)檢測器功能已被禁用。NCL30060B3版本用于不需要褐光保護(hù)或輸出短路保護(hù)的典型低待機(jī)操作的應(yīng)用。NCL30060B4為不需要此功能的解決方案取消了導(dǎo)通時(shí)間調(diào)制。
特點(diǎn)
- 內(nèi)置高電壓啟動(dòng)電路
- 直接光電耦合器反饋連接
- 恒定開啟時(shí)間的PWM控制
- 準(zhǔn)諧振開關(guān)
- 低工作電流(典型值1.6 mA)
- 源極250 mA / 灌極400 mA 圖騰柱門驅(qū)動(dòng)器
- 集成12V(典型值)柵極驅(qū)動(dòng)鉗制
- 用于降低EMI的頻率抖動(dòng)
- 啟用/禁用功能
- 動(dòng)態(tài)自供電(DSS)操作
- 工作溫度為-40°C至105°C
- 最大接通時(shí)間保護(hù)
- 集成的斷電保護(hù)
- 過電壓保護(hù)
- 逐周期過電流保護(hù)
- 輸出繞組短路保護(hù)
- 熱關(guān)斷
- 這些器件不含鉛、不含鹵素/BFR,并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。符合標(biāo)準(zhǔn)
典型應(yīng)用
- LED照明
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ADI
MSOP16
20000
LED 驅(qū)動(dòng)器 IC 1 輸出 DC DC 控制器 反激,SEPIC,降壓,升壓 模擬,PWM 調(diào)光 16-MSOP-EP
ON
SOIC-10
5000
用于 LED 照明的 LED 驅(qū)動(dòng)器,AC-DC 功率因數(shù)校正的準(zhǔn)諧振初級側(cè)電流模式控制器,具有智能模擬/調(diào)光功能
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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