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GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 W的碳化硅氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，適用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。它具有輸入匹配、高效率和帶無耳法蘭的熱增強表面貼裝封裝等特點。

產(chǎn)品種類: 射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管 

晶體管類型: HEMT 

技術(shù): GaN-on-SiC 

工作頻率: 2.496 GHz to 2.69 GHz 

增益: 17 dB 

晶體管極性: N-Channel 

Vds-漏源極擊穿電壓: 125 V 

Vgs-柵源極擊穿電壓 : - 10 V to 2 V 

Id-連續(xù)漏極電流: 12 A 

輸出功率: 270 W 

最大漏極/柵極電壓: - 

最小工作溫度: - 

最大工作溫度: + 225 C 

Pd-功率耗散: - 

安裝風(fēng)格: Flange Mount 

封裝 / 箱體: H-87265J-2 

應(yīng)用: 蜂窩功率放大器

正向跨導(dǎo) - 最小值: - 

產(chǎn)品類型: RF JFET Transistors 

工廠包裝數(shù)量: 250 

子類別: Transistors

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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