商品名稱:NL27WZU04ADBVT1G
品牌:ON
年份:23+
封裝:SC-74
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NL27WZU04ADBVT1G是一款高性能雙無緩沖反相器,工作電壓為 1.65 至 5.5 V。該器件由一個雙無緩沖反相器組成。與其他器件組合使用,或與 MC74LCXU04 Hex 無緩沖反相器組合使用,這些器件非常適合用作振蕩器、脈沖整形器和其他需要在模擬模式下使用數(shù)字器件的應(yīng)用。
特性
設(shè)計用于 1.65 V 至 5.5 V Vcc 工作電壓
耐過壓輸入
兼容 LVTTL - 具備與 VCC = 3 V 的 5 V TTL 邏輯的接口能力
16 mA 平衡輸出沉和源能力
兼容 LVCMOS
接近零的靜態(tài)電源電流大大降低了系統(tǒng)功耗要求
提供無鉛封裝
產(chǎn)品屬性
邏輯類型: 反相器
電路數(shù): 2
輸入數(shù): 2
電壓 - 供電: 1.65V ~ 5.5V
電流 - 靜態(tài)(最大值): 1 μA
電流 - 輸出高、低: 16mA,16mA
不同 V、最大 CL 時最大傳播延遲: 5.6ns @ 5V,50pF
工作溫度: -55°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: SC-74
封裝/外殼: SC-74,SOT-457
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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