商品名稱:LMG1210RVRR
數(shù)據(jù)手冊:LMG1210RVRR.pdf
品牌:TI
年份:23+
封裝:WQFN-19
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:8000 件
LMG1210RVRR是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動器,專為要求超高頻率、高效率的應(yīng)用而開發(fā), 具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配,以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部件還具備 一個內(nèi)部 LDO,可確保 5V 的柵極驅(qū)動器電壓(而與電源電壓無關(guān))。
產(chǎn)品特性
? 工作頻率高達 50MHz
? 10ns 典型傳播延遲
? 3.4ns 高側(cè)至低側(cè)匹配
? 4ns 最小脈寬
? 兩個控制輸入選項
– 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
– 獨立輸入模式
? 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流
? 外部自舉二極管可實現(xiàn)靈活性
? 內(nèi)部 LDO 可實現(xiàn)對電壓軌的適應(yīng)能力
? 高 300V/ns CMTI
? HO 到 LO 的電容小于 1pF
? UVLO 和過熱保護
? 低電感 WQFN 封裝
產(chǎn)品應(yīng)用
? 高速直流/直流轉(zhuǎn)換器
? 射頻封裝跟蹤
? D 類音頻放大器
? E 類無線充電
? 高精度電機控制
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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