商品名稱:NRVTS1245EMFST1G
數(shù)據(jù)手冊:NRVTS1245EMFST1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NRVTS1245EMFST1G 精細光刻溝槽式肖特基技術實現(xiàn)極低漏電,快速開關,具有出色的溫度穩(wěn)定性,低功率損耗和更低的工作溫度,效率更高,符合法規(guī)要求。熱阻低,高浪涌能力,NRV 前綴,適用于汽車和其他應用要求,獨特的現(xiàn)場和控制變更要求。
產品屬性
技術:肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V
電流 - 平均整流 (Io):12A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):600 mV @ 12 A
速度:快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:50 μA @ 45 V
等級:汽車級
資質:AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
供應商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C
應用
● 開關電源,包括無線、智能手機和筆記本適配器
● 高頻和 DC-DC 轉換器
● 續(xù)流和 OR-ing 二極管
● 反向電池保護
● 儀器儀表
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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