商品名稱:NCV70514MW003BR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV70514MW003BR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:32-VFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3690 件
NCV70514MW003BR2G是一款用于雙極步進(jìn)電機(jī)的微步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該芯片通過 IO 引腳和 SPI 接口與外部微處理器進(jìn)行聯(lián)接。NCV70514MW003BR2G 包含一個電流轉(zhuǎn)換表,根據(jù) NXT 輸入引腳上的時鐘信號以及 DIR(方向)寄存器或輸入引腳的狀態(tài)采用下一個微步進(jìn)。如果檢測到失速、電子錯誤、欠電壓或結(jié)溫度升高,該芯片則會提供錯誤消息。它使用專屬的 PWM 算法實現(xiàn)可靠的電流控制。 NCV70514MW003BR2G完全符合汽車電壓要求,非常適合汽車、工業(yè)、醫(yī)療和海洋環(huán)境中的通用型步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用。 由于其技術(shù),此器件特別適合使用波動電池電源的應(yīng)用。
特性
用于兩相步進(jìn)電機(jī)的雙 H 橋
可編程峰值電流高達(dá) 800 mA
片上電流轉(zhuǎn)換器
具有菊花鏈功能的 SPI 接口
從全步進(jìn)到 32 微步進(jìn)的 7 種步進(jìn)模式
完全集成的電流檢測和電流調(diào)節(jié)功能
片上失速檢測
自動選擇快、慢衰減的 PWM 電流控制
固定 PWM 頻率
有源反激二極管
全輸出保護(hù)和診斷
熱警告和關(guān)機(jī)
兼容 3.3 V 微控制器、5 V 容限輸入、5 V 容限漏極開路輸出
復(fù)位功能
過流保護(hù)
增強(qiáng)型欠壓管理
階躍模式選擇輸入
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
小型定位應(yīng)用
汽車(大燈校準(zhǔn)、HVAC、怠速控制、巡航控制)
工業(yè)設(shè)備(照明、流體控制、標(biāo)簽、過程控制、XYZ 工作臺、機(jī)器人)
樓宇自動化(暖通空調(diào)、監(jiān)控、衛(wèi)星天線、可再生能源系統(tǒng))
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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