商品名稱:NCV7547MWTXG
數(shù)據(jù)手冊:NCV7547MWTXG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:48-VFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:20140 件
NCV7547MWTXG可編程七溝道半橋 MOSFET 預(yù)驅(qū)動(dòng)器屬于 FLEXMOS? 汽車級(jí)產(chǎn)品系列,用于驅(qū)動(dòng)邏輯電平 NMOSFET。該產(chǎn)品可通過串行 SPI 和兼容 CMOS 的并行輸入組合控制。該預(yù)驅(qū)動(dòng)器提供對(duì)于 MOSFET 的高級(jí)控制和保護(hù)。該器件和應(yīng)用診斷數(shù)據(jù)通過 SPI 進(jìn)行通信。
產(chǎn)品屬性
輸出配置:半橋(7)
應(yīng)用: 通用
接口: PWM,SPI
負(fù)載類型: 容性和阻性
技術(shù): NMOS
電壓 - 供電: 4.5V ~ 5.5V
電壓 - 負(fù)載: 7V ~ 18V
工作溫度: -40°C ~ 150°C(TJ)
特性: 充電泵
故障保護(hù): 過載
安裝類型: 表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
封裝/外殼: 48-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝: 48-QFNW(7x7)
應(yīng)用
座椅電機(jī)致動(dòng)器
門鎖促動(dòng)器
行李箱升降促動(dòng)器
天窗致動(dòng)器
車窗升降促動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Melexis
QFN32
2000
適用于直流電機(jī)和直流無刷電機(jī) (<2000W) 的智能 LIN 預(yù)驅(qū)動(dòng)器
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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