商品名稱:汽車級串行EEPROM
數(shù)據(jù)手冊:M95M02-DWMN3TP/K.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:SOIC-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
M95M02-DWMN3TP/K是 2-Mbit 串行 EEPROM 汽車級器件,工作溫度高達 125°C。M95M02-DWMN3TP/K符合汽車標準 AEC-Q100 0 級規(guī)定的高可靠性要求。
該器件通過簡單的串行 SPI 兼容接口訪問,最高運行頻率可達 10 MHz。
存儲器陣列基于先進的真正 EEPROM 技術(電可擦除可編程存儲器)。M95M02-DWMN3TP/K是字節(jié)可更改存儲器(262144 × 8 位),分為 1024 頁,每頁 256 個字節(jié),其中的嵌入式糾錯碼邏輯大大提高了數(shù)據(jù)完整性。
M95M02-DWMN3TP/K提供一個額外的識別頁(256 字節(jié)),可讀取 ST 器件標識。該頁面還可用于存儲敏感的應用參數(shù),這些參數(shù)可在只讀模式下永久鎖定。
所有功能
與串行外設接口 (SPI) 總線兼容
內(nèi)存陣列
2 Mbit(256 K 字節(jié))EEPROM
頁大?。?56 字節(jié)
塊寫保護:1/4、1/2 或整個存儲器
附加寫入鎖定頁(識別頁)
擴展的溫度和電壓范圍
最高 125 °C(VCC 為 2.5 V 至 5.5 V)
時鐘頻率
105°C 時,VCC ≥ 4.5 V 時為 10 MHz
VCC≥ 2.5 V@125°C 時為 5 MHz
用于噪聲過濾的施密特觸發(fā)器輸入
寫入周期時間短
字節(jié)寫入 5 毫秒內(nèi)
頁寫入 5 毫秒內(nèi)
寫入周期耐久性
25 °C 時 400 萬次寫入循環(huán)
120 萬次寫入循環(huán)(85 °C
125 °C 時 100 k 次寫入循環(huán)
數(shù)據(jù)保存
25 °C 時 100 年
靜電放電
25 °C 下 100 年
靜電放電保護(人體模型):3000 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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