商品名稱:MICROFC-60035-SMT-TR
數(shù)據(jù)手冊:MICROFC-60035-SMT-TR.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:4-SMD
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MICROFC-60035-SMT-TR 是 C 系列硅光電倍增管 (SiPM) 傳感器,它具有業(yè)界領(lǐng)先的 30kHz/mm2 低暗點(diǎn)計(jì)數(shù)率,以及 ±250mV 的優(yōu)異擊穿電壓一致性。它采用高容量 CMOS 工藝,光子探測效率高(PDE),可深入光譜的藍(lán)色部分。
產(chǎn)品特性
在 420nm 波長處的 PDE >40%,靈敏度擴(kuò)展至 300nm 波長,提高了紫外靈敏度
30kHz/mm2 的超低暗計(jì)數(shù)率
±250mV 擊穿電壓一致性
溫度穩(wěn)定性為 21.5mV/°C
獨(dú)特的 "快速輸出 "終端提供 300ps 的超快上升時(shí)間和 600ps 的脈沖寬度
<30V 偏置電壓
1 毫米、3 毫米和 6 毫米傳感器尺寸
傳統(tǒng) PMT 的固態(tài)替代品,應(yīng)用廣泛
106 的高增益可實(shí)現(xiàn)單光子靈敏度
業(yè)內(nèi)最佳的 Vbr 一致性
緊湊、堅(jiān)固的封裝
提供帶 SMA 連接器或引腳的評估板,便于評估
應(yīng)用
醫(yī)療成像
危險(xiǎn)和威脅
3D 測距和傳感
生物光子學(xué)和科學(xué)
高能物理
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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