商品名稱:MICROFC-30035-SMT-TR
數(shù)據手冊:MICROFC-30035-SMT-TR.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:4-SMD
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MICROFC-30035-SMT-TR 是 C 系列硅光電倍增管 (SiPM) 傳感器,它具有業(yè)界領先的 30kHz/mm2 低暗點計數(shù)率,以及 ±250mV 的優(yōu)異擊穿電壓一致性。它采用高容量 CMOS 工藝,光子探測效率高(PDE),可深入光譜的藍色部分。
產品特性
在 420nm 波長處的 PDE >40%,靈敏度擴展至 300nm 波長,提高了紫外靈敏度
30kHz/mm2 的超低暗計數(shù)率
±250mV 擊穿電壓一致性
溫度穩(wěn)定性為 21.5mV/°C
獨特的 "快速輸出 "終端提供 300ps 的超快上升時間和 600ps 的脈沖寬度
<30V 偏置電壓
1 毫米、3 毫米和 6 毫米傳感器尺寸
傳統(tǒng) PMT 的固態(tài)替代品,應用廣泛
106 的高增益可實現(xiàn)單光子靈敏度
業(yè)內最佳的 Vbr 一致性
緊湊、堅固的封裝
提供帶 SMA 連接器或引腳的評估板,便于評估
應用
醫(yī)療成像
危險和威脅
3D 測距和傳感
生物光子學和科學
高能物理
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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