商品名稱:NCP4307FBSNT1G
數(shù)據(jù)手冊:NCP4307FBSNT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOT-23-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCP4307FBSNT1G 是一款高性能驅動器,專門用于控制開關模式電源中的同步整流 MOSFET。憑借其高性能驅動器和多功能性,它可用于各種拓撲結構,如 DCM 或 CCM 反激式、準諧振反激式和正激式。
功能特點
用于反激式應用的 CCM、DCM 和 QR 中同步整流器的自足式控制
精確的真正次級零電流檢測
從電流檢測輸入到驅動器的關斷延遲通常為 15 ns
堅固的電流檢測引腳(高達 200 V)
高壓側操作或低 VOUT 時的自供電能力
超快關斷觸發(fā)接口/禁用輸入(10.5 ns)
帶反向電流保護的內(nèi)部最短導通時間
具有振鈴檢測功能的內(nèi)部最短關斷時間
改進的穩(wěn)健自同步能力
7 A / 2 A 峰值電流灌入/源驅動能力
工作電壓范圍高達 VCC = 35 V
自動輕載禁用模式
高壓側工作能力,無需外部元件或輔助繞組
兩個 VCC 引腳選項允許在寬 VOUT 范圍應用中優(yōu)化功耗
低啟動和禁用電流消耗
TSOP6 封裝
這些器件均為無鉛器件
應用
筆記本適配器
高功率密度 AC/DC 電源(手機充電器)
液晶電視
所有具有高能效要求的 SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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