商品名稱:NCP4307AASNT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP4307AASNT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOT-23-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCP4307AASNT1G 是一款高性能驅(qū)動(dòng)器,專門用于控制開關(guān)模式電源中的同步整流 MOSFET。憑借其高性能驅(qū)動(dòng)器和多功能性,它可用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如 DCM 或 CCM 反激式、準(zhǔn)諧振反激式和正激式。
功能特點(diǎn)
用于反激式應(yīng)用的 CCM、DCM 和 QR 中同步整流器的自足式控制
精確的真正次級(jí)零電流檢測(cè)
從電流檢測(cè)輸入到驅(qū)動(dòng)器的關(guān)斷延遲通常為 15 ns
堅(jiān)固的電流檢測(cè)引腳(高達(dá) 200 V)
高壓側(cè)操作或低 VOUT 時(shí)的自供電能力
超快關(guān)斷觸發(fā)接口/禁用輸入(10.5 ns)
帶反向電流保護(hù)的內(nèi)部最短導(dǎo)通時(shí)間
具有振鈴檢測(cè)功能的內(nèi)部最短關(guān)斷時(shí)間
改進(jìn)的穩(wěn)健自同步能力
7 A / 2 A 峰值電流灌入/源驅(qū)動(dòng)能力
工作電壓范圍高達(dá) VCC = 35 V
自動(dòng)輕載禁用模式
高壓側(cè)工作能力,無需外部元件或輔助繞組
兩個(gè) VCC 引腳選項(xiàng)允許在寬 VOUT 范圍應(yīng)用中優(yōu)化功耗
低啟動(dòng)和禁用電流消耗
TSOP6 封裝
這些器件均為無鉛器件
應(yīng)用
筆記本適配器
高功率密度 AC/DC 電源(手機(jī)充電器)
液晶電視
所有具有高能效要求的 SMPS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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