商品名稱:FUSB15101MNTWG
數(shù)據(jù)手冊:FUSB15101MNTWG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:20-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
FUSB15101MNTWG 是一款高度集成的 USB Power Delivery (PD) 電源控制器,可控制 AC-DC 適配器二次側的光耦合器或 DC-DC 端口電源穩(wěn)壓器。
功能特點
32 位 Arm Cortex-M0+ 處理器
32 KB OTP(一次性可編程)程序存儲器
支持 PPS 的 USB PD 3.1
電源管理單元,VIN 支持 3.3 V 至 24 V
集成 VCONN 電源,用于偵測 E-Marked 電纜
空閑和睡眠模式,滿足 CoC 和 DoE 要求
外設
USB Type-C / PD 檢測和通信層
用于負載開關控制的 VBUS NMOS 柵極驅動器
VBUS 放電功能
可編程恒壓和恒流控制
兩個 10 位 DAC,用于精確的電壓和電流控制
兩個 NTC 溫度測量
用于電壓、電流和溫度報告的 10 位 ADC
兩個通用 32 位定時器
看門狗定時器 (WDT)
I2C 主/從外設
D+/- 引腳上的 UART
輸出故障保護
過壓
欠壓
過流
過溫保護
應用
用于移動電話、平板電腦和計算設備的壁式充電器
符合 AC-DC USB PD 標準的適配器
電源箱
點煙器適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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