商品名稱:NCID9311R2
數(shù)據(jù)手冊:NCID9311R2.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:16-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCID9311R2 是帶輸出使能的電隔離高速 3 通道數(shù)字隔離器。該器件支持隔離通信,從而允許數(shù)字信號在系統(tǒng)間通信,而不會產(chǎn)生接地回路或危險電壓。
特點
片外電容隔離,實現(xiàn)可靠的高壓絕緣
DTI(絕緣距離):≥ 0.5 毫米
最大工作絕緣電壓:2000 Vpeak
雙向通信
100 kV/s 最小共模抑制
8 mm 爬電和間隙距離,實現(xiàn)可靠的高壓絕緣
在 2.5 V 至 5.5 V 電源電壓和 -40°C 至 125°C 擴展溫度范圍內(nèi)的規(guī)格保證
過溫檢測
輸出使能功能(初級和次級側)
NCIV 前綴,適用于汽車和其他需要獨特的現(xiàn)場和控制變更要求的應用;通過 AEC-Q100 認證并支持 PPAP(待定)
應用
隔離式 PWM 控制
工業(yè)現(xiàn)場總線通信
微處理器系統(tǒng)接口(SPI、I2C 等)
可編程邏輯控制
隔離式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
電壓電平轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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