商品名稱:NCS21671DM025R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCS21671DM025R2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:10-TFSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCS21671DM025R2G 是一系列電壓輸出電流檢測放大器,增益為 25V。這些器件可在共模電壓為 -0.1 V 至 40 V 時測量分流器上的電壓,與電源電壓無關。零漂移架構的低偏移可實現(xiàn)電流檢測,檢測電阻上的壓降可低至 10 mV 滿量程。可選的使能功能可將通過輸入引腳和電源引腳的電流消耗降至可忽略的水平。兩個可選引腳可簡化輸入濾波。這些器件可通過 +1.8 V 至 +5.5 V 單電源工作,電源電流最大為 40 μA。G該器件采用 Micro10 封裝。
產品屬性
放大器類型: 電流檢測
電路數(shù): 1
輸出類型: 滿擺幅
壓擺率: 0.4V/μs
-3db 帶寬: 20 kHz
電流 - 輸入偏置 :30 μA
電壓 - 輸入補償: 30 μV
電流 - 供電: 35μA
電壓 - 跨度(最小值): 1.8 V
電壓 - 跨度(最大值) :5.5 V
工作溫度: 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商器件封裝: 10-微型
典型應用
電源總線監(jiān)控
電池電流監(jiān)控器
照明巴拉斯
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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