商品名稱:NCV78763MW1AR2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCV78763MW1AR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:32-VQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV78763MW1AR2G 最適用于大電流 LED,通過兩個(gè)內(nèi)部獨(dú)立降壓開關(guān)通道輸出,提供了驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高達(dá) 60 V 電壓串的完整解決方案,只需最少的外部元件。
產(chǎn)品特性
單芯片升壓-降壓解決方案
高達(dá) 60 V 的兩個(gè) LED 串
每個(gè)輸出高達(dá) 1.6 A DC 的高電流能力
整體系統(tǒng)效率高
外部元件最少
有源輸入濾波器,可降低來自電池的電流紋波
集成開關(guān)模式降壓電流調(diào)節(jié)器
集成升壓電流模式控制器
可編程輸入電流限制
通過 LED 的平均電流調(diào)節(jié)
工作頻率高,可減小電感器尺寸
集成式 PWM 調(diào)光,頻率范圍廣
用于 LED 開關(guān)和調(diào)光的低 EMC 輻射
用于動(dòng)態(tài)控制系統(tǒng)參數(shù)的 SPI 接口
典型應(yīng)用
前照燈遠(yuǎn)光燈和近光燈
日間行車燈 (DRL)
位置燈或駐車燈
轉(zhuǎn)向指示燈
霧燈和靜態(tài)彎道燈
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ADI
MSOP16
20000
LED 驅(qū)動(dòng)器 IC 1 輸出 DC DC 控制器 反激,SEPIC,降壓,升壓 模擬,PWM 調(diào)光 16-MSOP-EP
ON
SOIC-10
5000
用于 LED 照明的 LED 驅(qū)動(dòng)器,AC-DC 功率因數(shù)校正的準(zhǔn)諧振初級(jí)側(cè)電流模式控制器,具有智能模擬/調(diào)光功能
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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