商品名稱:NCV78723MW5R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV78723MW5R2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:24-VQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV78723MW5R2G 是一款單芯片、高效降壓型雙 LED 驅(qū)動器,設(shè)計用于汽車前部照明應(yīng)用,如遠(yuǎn)光燈、近光燈、DRL(日間行車燈)、轉(zhuǎn)向指示燈、霧燈、靜態(tài)轉(zhuǎn)彎燈等。
NCV78723MW5R2G 特別針對大電流 LED 而設(shè)計,為驅(qū)動高達(dá) 60 V 的 2 個 LED 串提供了完整的解決方案。
產(chǎn)品特性
單芯片
降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
2 個高達(dá) 60 V 的 LED 串
每個輸出高達(dá) 1.6 A DC 的高電流能力
整體效率高
外部元件最少
集成式高精度電流檢測
集成開關(guān)模式降壓電流調(diào)節(jié)器
通過 LED 實現(xiàn)平均電流調(diào)節(jié)
工作頻率高,可減小電感器尺寸
用于 LED 開關(guān)和調(diào)光的低 EMC 輻射
用于動態(tài)控制系統(tǒng)參數(shù)的 SPI 接口
故障安全操作 (FSO) 模式、獨立模式
典型應(yīng)用
遠(yuǎn)光燈
近光燈
近光燈
位置燈或駐車燈
轉(zhuǎn)向指示燈
霧燈
靜態(tài)彎道指示燈
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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